存储行业正处于由人工智能（AI）深度驱动的爆发期，各大原厂不约而同地将战略重心转向高带宽、大容量与低功耗的AI专用存储解决方案，HBM需求水涨船高，部分厂商2026年HBM产能已经全部售罄。受此因素影响，HBM相关设备厂商迎来利好。

近期，半导体设备大厂东京电子（TEL）社长河合利树（Toshiki Kawai）对外表示，产业可能正在进入一个长期超级周期，预计存储制造商将从今年开始购买相关设备，以应对HBM供不应求的行情。

资料显示，东京电子的刻蚀设备主要用于在晶圆上精密形成电路结构。 随着HBM采用多层堆栈的DRAM架构，层数随着效能需求不断攀升，因此芯片间的互连制程变更复杂，需要的加工步骤也随之增加。

东京电子认为，HBM技术演进将明显推升相关刻蚀与制程设备的需求动能。上一财年东京电子已售出数千亿日元规模的DRAM互连刻蚀设备，该公司计划至2030财年累计相关设备销售额达5000亿日元。

业界表示，全球刻蚀设备市场由科林研发公司、东京电子与应用材料等大厂主导，河合利树认为，随着DRAM芯片微缩化，储存电荷的电容器变得更薄、更长，使生产难度增加。在刻蚀电容深垂直孔时，控制速度与形状的技术非常重要，这正是东京电子的专长所在。

为了抢攻这波由HBM需求带动的超级周期，东京电子持续加码投资，目前已经在日本完成新的研发设施以及生产与物流中心。

除了国际大厂之外，国内设备厂商也积极布局HBM设备，涉及刻蚀、沉积、键合、检测等众多环节。

北方华创在HBM芯片制造领域可提供深硅刻蚀、薄膜沉积、热处理、湿法清洗、电镀等多款核心设备。

迈为股份对外表示，公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM（高带宽存储器HBM）工艺。公司刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造领域。

华卓精科的CMP装备、减薄装备、划切装备、边抛装备等产品作为HBM、CoWos等芯片堆叠与先进封装工艺的关键核心装备，目前已在多个头部客户获得广泛应用。

信息来源：全球半导体观察