支点财经记者 郑玮  张艺涵

在电子元件向小型化、高密度、高频率发展的今天，散热成为影响电子设备寿命与性能的关键因素。

近年来，氮化铝陶瓷基板逐渐成为电子器件中的核心散热载体，该产品热导率高于氧化铝10倍，热稳定性可以达到2200℃。但放眼全球，氮化铝陶瓷基板生产集中在美、日、英等国，国内厂商技术发展受限。

如今，一支来自武汉理工大学的博士团队攻克了氮化铝陶瓷基板制备难题，打破国外垄断格局，实现产品热导率达250W/(m·K)，比肩国际水平，为我国集成电路、新能源汽车等高端产业发展提供了自主可控的材料解决方案。目前，该项目已获得多家国资基金投资。

近日，在长江产业集团举办的长江博士创业大赛现场，芯中达材料创始人、CEO刘志哲分享了公司的技术特点和发展前景。

核心技术比肩国际顶尖品牌

近年来，氮化铝陶瓷基板因高热导、耐高温、电性能优良等特性，成为电子设备热管理的核心材料，广泛应用于IGBT模块、集成电路、航空航天、新能源汽车等关键领域。

数据显示，2025年全球氮化铝陶瓷市场规模将接近2000亿元，中国市场规模500亿元，但该产品国产化率仅4%，高端产品长期被国外垄断，国内厂商面临性能不足、量产困难、国外出口限制的“三难”困境。

刘志哲介绍，芯中达自2023年成立以来，聚焦高热导率氮化铝陶瓷基板研发，针对浆料调控矛盾多、生坯脱脂缺陷多、高温烧结翘曲多的 “三多”技术瓶颈，构建了全链条解决方案。

“公司首创陶瓷浆料 ‘双塑性剂体系’，使精准协同流延效率提升150%，实现80mm至120mm大尺寸生坯无裂纹、无气泡脱脂。”刘志哲介绍，公司通过优化烧结工艺，降低烧结温度并加速晶格氧析出，最终使产品热导率突破 250W/(m・K)，比肩日本古河等国际顶尖品牌，远超国内的平均水平。

在性能指标上，芯中达产品热膨胀系数与半导体材料匹配，介电强度、抗弯强度等均有明显提升。

凭借技术优势，目前，公司产品已成功切入功率半导体、显示、LED 封装、航空航天、新能源汽车等多个应用场景，与多家企业达成合作，签约订单金额过千万元，市场反馈良好。

芯中达材料创始人、CEO刘志哲在长江博士创业大赛路演

得到国资基金青睐，天使轮融资近千万元

“芯中达创立主要基于两点，一是武汉理工大学在先进陶瓷领域的学科积淀，也是我们创立这家公司的底气和基础，二是武汉的集成电路和光电子产业强大的产业需求。”刘志哲介绍。

刘志哲为武汉理工大学博士后、英国威尔士三一圣大卫大学联合培养陶瓷博士，深耕陶瓷领域十余年，2019年归国后聚焦先进陶瓷产业化探索，带领团队完成多项核心技术突破。

芯中达材料团队成员多来自武汉理工大学，涵盖材料科学、精密工学、智能控制等多个专业，形成了多学科交叉融合的研发体系。研发骨干有中国博士后科学基金获得者，核心研发人员主持或参与多项国家级科研项目。团队累计获得中国国际大学生创新大赛金奖、第十届“创青春”中国青年创新创业大赛金奖等省部级及国家级奖项30余项，核心技术已申请9项国家发明专利。

目前，公司获得江夏科投、江城基金等国资基金近千万元天使轮投资，并在武汉市江夏智能制造产业园建成完整量产线，可生产陶瓷基板、精密结构件及大型陶瓷件等产品。

“站在长江博士创业大赛的舞台上面，面向成熟的投资机构进行路演，对我们很重要。”刘志哲表示，在博士大赛后，已有创投机构到公司实地走访，也表达了投资意向。

刘志哲计划，明年将聚焦产品中试量产与重点客户拓展，2027-2028年实现产业链协同生产，推动氮化铝陶瓷产业从国产化替代迈向产业出海。