支点财经讯（记者 林楠）近期，全球专利数据库incopat数据显示，以长飞先进作为专利申请人，公开的碳化硅（SiC）沟槽MOSFET相关专利数量达到79件，位列行业第三，并在国内公开相关专利数量中位列第一，与富士电机、英飞凌等行业国际头部企业同台竞技。

另据第三方机构knowmade调查显示，长飞先进作为碳化硅模块与碳化硅器件的专利申请人，在2025年第一季度的全球专利申请人排名中分别位列榜单第二和第七。

碳化硅沟槽MOSFET作为新一代功率半导体核心器件，因其高效率、高功率密度以及出色的高温性能，被广泛应用于新能源汽车、工业电源、可再生能源等领域。随着全球对高效能、低能耗技术的需求日益增长，碳化硅器件的研发和应用已成为行业竞争的焦点。

据悉，自2022年成立以来，长飞先进始终将知识产权战略作为核心竞争力的重要组成部分，持续深化相关领域的专利布局。在碳化硅沟槽MOSFET领域，长飞先进通过加大研发投入，不断突破技术瓶颈，取得了多项重要成果，并通过优化器件结构、提升工艺水平和创新设计方法，显著提高了碳化硅沟槽MOSFET的性能和可靠性。

截至2025年10月底，长飞先进共申请专利376件，其中发明专利申请309件，占比超82%；获专利授权124件，其中发明专利授权72件，发明专利的授权率高达66%。通过前瞻性的知识产权布局，长飞先进目前已构建了覆盖核心技术领域的专利护城河，进一步巩固了在碳化硅功率器件市场的领先地位，更通过“技术—专利—市场”的闭环生态，为突破行业天花板、实现全球产业格局重构奠定了核心支撑。