近日，ASML首席执行官Christophe Fouquet在比利时研究机构imec举办的会议上表示，未来几个月内，业界将看到首批使用新一代High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）技术制造的产品，涵盖存储芯片与逻辑电路领域。

作为现有EUV的重大升级，High-NA EUV将数值孔径从0.33提升至0.55，提升幅度约66.7%，可将芯片最小特征尺寸缩小约1.7倍，从而支持更高密度的晶体管设计，被普遍视为未来2纳米及以下制程的关键设备。

据悉，目前英特尔是导入该技术最积极的厂商，其不仅是全球最早接收并组装High-NA EUV原型机型（型号Twinscan EXE:5000）的客户，截至2026年5月，也已完成了多台High-NA设备的完整部署，用于先进制程开发。

此外，也有存储芯片大厂表态计划采用。然而，另一大客户台积电的立场更为审慎。尽管市场曾传出其因成本考量暂缓采购，但台积电高层明确表示，目前没有任何部署该设备的计划，最快也要到2029年推进A13制程节点时才可能考虑导入。

高昂成本正是客户权衡的核心因素。单台High-NA EUV光刻机的售价约3.5亿欧元（超过4亿美元），约为现有EUV系统的两倍。这使得晶圆厂在技术领先与投资回报之间必须谨慎决策。

尽管如此，ASML的整体业绩依然表现强劲。2026年第一季度财报显示，公司实现净销售额88亿欧元，同比增长13.2%；毛利率为53.0%，高于市场预期；净利润达28亿欧元，同比增长17.1%，净利率创下近两年新高。其中，EUV光刻机销售额占比高达66%，成为核心增长引擎。值得注意的是，该季度系统销售额中已包含2台High-NA系统的销售，表明其初步商业化已在2026年初启动。展望未来，ASML预计2026年第二季度净销售额为84至90亿欧元，全年净销售额在360至400亿欧元之间，毛利率维持在51%至53%。

总体而言，High-NA EUV技术正稳步走向量产，首批芯片的问世将成为重要里程碑。但高昂的设备和运营成本，以及大客户的不同节奏，意味着这项先进技术的大规模普及仍将经历一段持续的博弈期。

信息来源：全球半导体观察